1N5821-E3/54GI

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1N5821-E3/54GI 技术参数

1N5821-E3/54 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 1N5821-B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5821 R0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:1,250 1N5821 B0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 1N5821 A0G 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:在售二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:500mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:200pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 125°C 标准包装:500 1N5822 1N5822 A0G 1N5822 B0G 1N5822 R0G 1N5822/54 1N5822-B 1N5822-E3/51 1N5822-E3/54 1N5822-E3/73 1N5822G 1N5822HA0G 1N5822HB0G 1N5822HR0G 1N5822RL 1N5822RLG 1N5822-T 1N5822-TP 1N5822US