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1N5968US

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  • 北京京华特科技有限公司
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  • MICROCHIP

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  • 科创特电子(香港)有限公司
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  • MICROSEMI

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 5.6V 5% 5W 2PIN D-5B - Bulk
1N5968US 技术参数
  • 1N5968 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:- 标准包装:1 1N5956PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5956PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N5956P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:1,500 1N5956P/TR12 功能描述:DIODE ZENER 200V 1.5W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:1.5W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 1N5985UR 1N5985UR-1 1N5986A 1N5986B 1N5986B BK 1N5986B_T50A 1N5986B_T50R 1N5986C 1N5986D 1N5986UR 1N5986UR-1 1N5987A 1N5987B 1N5987B BK 1N5987B_T50A 1N5987B_T50R 1N5987C 1N5987D
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