1N5985BRL

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深圳市华芯盛世科技有限公司
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电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
MOTOROLA
DO35
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1N5985BRL 技术参数

1N5985B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5985B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N5985B TR 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5985B BK 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:2,500 1N5985B 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5986C 1N5986D 1N5986UR 1N5986UR-1 1N5987A 1N5987B 1N5987B BK 1N5987B_T50A 1N5987B_T50R 1N5987C 1N5987D 1N5987UR 1N5987UR-1 1N5988A 1N5988B 1N5988B BK 1N5988B TR 1N5988B_T50A