1N6088

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制造商
KNOX
制造商全称
KNOX
功能描述
LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES HIGH PERFORMANCE

1N6088 技术参数

1N6081US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6081 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 150V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6080US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6080 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:30ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）工作温度 - 结:-65°C ~ 155°C 标准包装:1 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105 1N6105A 1N6105AUS 1N6105US 1N6106