1N6112AJANTXV

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制造商
Semtech Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 13.7V 500W 2-Pin

1N6112AJANTXV 技术参数

1N6112A 功能描述:TVS DIODE 13.7VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:13.7V 电压 - 击穿（最小值）:17.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6112 功能描述:TVS DIODE 13.7VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:13.7V 电压 - 击穿（最小值）:16.25V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26.36V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.91A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6111US 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.2V 电压 - 击穿（最小值）:14.44V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.42V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:21.28A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6111AUS 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM 22.3VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.2V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:22.4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6111A 功能描述:TVS DIODE 12.2VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:12.2V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:22.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:22.4A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:B，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 1N6114US 1N6115 1N6115A 1N6115AUS 1N6115US 1N6116 1N6116A 1N6116AUS 1N6116US 1N6117 1N6117A 1N6117AUS 1N6117US 1N6118 1N6118A 1N6118AUS 1N6118US 1N6119