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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室

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  • 天阳诚业科贸有限公司
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    联系人:洪宝宇

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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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    联系人:王小姐

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    地址:深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL BI-DIR 38.8V 500W 2PIN D-5B - Bulk
1N6123US 技术参数
  • 1N6123AUS 功能描述:TVS DIODE 38.8VWM 70.1VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):38.8V 电压 - 击穿(最小值):48.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:70.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):7.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6123A 功能描述:TVS DIODE 38.8VWM BPKG AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):38.8V 电压 - 击穿(最小值):48.5V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:70.1V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):7.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:B,轴向 供应商器件封装:轴向 标准包装:1 1N6123 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6122US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N6122AUS 功能描述:TVS DIODE 35.8VWM 64.6VC SQMELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):35.8V 电压 - 击穿(最小值):44.7V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:64.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):7.7A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SQ-MELF,B 供应商器件封装:B,SQ-MELF 标准包装:1 1N6126A 1N6126AUS 1N6126US 1N6127 1N6127A 1N6127AUS 1N6127US 1N6128 1N6128A 1N6128AUS 1N6128US 1N6129 1N6129A 1N6129AUS 1N6129US 1N6130 1N6130A 1N6130AUS
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