1N6337

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1N6337 技术参数

1N6336 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6335US 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 23V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6335 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6334US 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:50nA @ 21V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，B 供应商器件封装:B，SQ-MELF 标准包装:1 1N6334 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N6342 1N6342US 1N6343 1N6343US 1N6344 1N6344US 1N6345US 1N6346 1N6346US 1N6347 1N6347US 1N6348 1N6348US 1N6349 1N6349US 1N6350 1N6350US 1N6351