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1N756ARL

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
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  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 8.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R
1N756ARL 技术参数
  • 1N756A-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 1N756A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N756A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N756A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N756A TR 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向 供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A 1N758A BK 1N758A TR 1N758A_S00Z 1N758A_T50A 1N758A_T50R 1N758A-1 1N758ATR 1N758AUR-1 1N759A 1N759A BK 1N759A TR 1N759A_S00Z 1N759A_T50A 1N759A_T50R 1N759A-1
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