1N758ATR全国供应商 1N758ATR资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N758ATR
深圳市湘达电子有限公司
深圳市湘达电子有限公司
联系人：朱平
电话：0755-83229772-83202753
地址：办公地址帮我改成深圳市福田区红荔路上步工业区201栋东座4楼F02室
2316
FAIRCHILD
原厂
21+
-
百分百进口原装现货，价格有优势。

1N758ATR
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
Fairchild Semiconductor
07+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

1N758ATR
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
1830
FAIRCHILD
-
公司现货!只做原装!

1N758ATR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
FAIRCHILD
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

1N758ATR
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
5040
CentralSemi
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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功能描述
稳压二极管 10V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 % / K
齐纳电流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-214AC
封装
Reel

1N758ATR 技术参数

1N758A-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N758A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N758A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N758A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件状态:停產电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 1N758A TR 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N759AUR-1 1N761 1N762 1N763 1N764 1N765 1N766 1N767 1N768 1N769 1N8024-GA 1N8026-GA 1N8028-GA 1N8030-GA 1N8031-GA 1N8032-GA 1N8033-GA 1N8034-GA