1N759D

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
Silicon 500mW Zener Diodes DO-35

1N759D 技术参数

1N759AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N759ATR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N759A-1 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 9V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N759A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N759A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 1N8024-GA 1N8026-GA 1N8028-GA 1N8030-GA 1N8031-GA 1N8032-GA 1N8033-GA 1N8034-GA 1N8035-GA 1N8147 1N8147US 1N8148 1N8148US 1N8149 1N8149US 1N8150 1N8150US 1N8151