1PMT5.0AT3全国供应商 1PMT5.0AT3资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1PMT5.0AT3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
ON Semiconductor
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

1PMT5.0AT3G
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ON
06+
-
假一罚十，百分百原装正品

1PMT5.0AT3
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25855
ON
DO216AA
21+
-
原厂原装现货

1PMT5.0AT3G
深圳市莱特斯电子科技有限公司
深圳市莱特斯电子科技有限公司
联系人：江先生
电话：19176527791
地址：深圳市福田区赛格广场1609A
资质：营业执照
12000
ON
POWERMITE
21+
-
?只做原装进口，承诺假一罚十，授权分销商...

1PMT5.0AT3G
深圳市荣泽信电子科技有限公司
深圳市荣泽信电子科技有限公司
联系人：荣泽信－晏S
电话：18028731859
地址：华富村东区417室
10000
ON
15+
-
绝对进口原装特价真实库存，1天

1PMT5.0AT3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
原装ON
DO216AA
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

1PMT5.0AT3G
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
ON Semiconductor
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

1PMT5.0AT3G
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
ON
22+
-
原装正品

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功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 5V 200W Powermite
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
极性
Bidirectional
工作电压
击穿电压
58.9 V
钳位电压
77.4 V
峰值浪涌电流
38.8 A
系列
封装 / 箱体
DO-214AB
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C

1PMT5.0AT3 技术参数

1PMT5.0AT1G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:1 1PMT5.0AT1 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:10 1PMT48AT1 功能描述:TVS DIODE 48VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:48V 电压 - 击穿（最小值）:53.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT4627E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:3,000 1PMT4627E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 1W DO216 制造商:microsemi corporation 系列:POWERMITE? 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216 标准包装:12,000 1PMT5914AE3/TR7 1PMT5914B/TR13 1PMT5914B/TR7 1PMT5914BE3/TR13 1PMT5914BE3/TR7 1PMT5914C/TR13 1PMT5914C/TR7 1PMT5914CE3/TR13 1PMT5914CE3/TR7 1PMT5914E3/TR13 1PMT5914E3/TR7 1PMT5915/TR13 1PMT5915/TR7 1PMT5915A/TR13 1PMT5915A/TR7 1PMT5915AE3/TR13 1PMT5915AE3/TR7 1PMT5915B/TR13

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