1PMT50AT3

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制造商
ON SEMI
功能描述
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1PMT50AT3 技术参数

1PMT5.0AT3G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:12,000 1PMT5.0AT3 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:12,000 1PMT5.0AT1G 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:1 1PMT5.0AT1 功能描述:TVS DIODE 5VWM 9.2VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:9.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:10 1PMT48AT1 功能描述:TVS DIODE 48VWM POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:48V 电压 - 击穿（最小值）:53.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:- 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5914B/TR13 1PMT5914B/TR7 1PMT5914BE3/TR13 1PMT5914BE3/TR7 1PMT5914C/TR13 1PMT5914C/TR7 1PMT5914CE3/TR13 1PMT5914CE3/TR7 1PMT5914E3/TR13 1PMT5914E3/TR7 1PMT5915/TR13 1PMT5915/TR7 1PMT5915A/TR13 1PMT5915A/TR7 1PMT5915AE3/TR13 1PMT5915AE3/TR7 1PMT5915B/TR13 1PMT5915B/TR7