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1PMT5921BT3G

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    联系人:廖女士

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  • 制造商
  • ONSEMI
  • 制造商全称
  • ON Semiconductor
  • 功能描述
  • 3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package
1PMT5921BT3G 技术参数
  • 1PMT5921BT1G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:1 1PMT5921BT1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.25V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5921BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5921BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5921B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):2.5 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 5.2V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5922A/TR7 1PMT5922AE3/TR13 1PMT5922AE3/TR7 1PMT5922B/TR13 1PMT5922B/TR7 1PMT5922BE3/TR13 1PMT5922BE3/TR7 1PMT5922BT1 1PMT5922BT1G 1PMT5922BT3 1PMT5922C/TR13 1PMT5922C/TR7 1PMT5922CE3/TR13 1PMT5922CE3/TR7 1PMT5922E3/TR13 1PMT5922E3/TR7 1PMT5923/TR13 1PMT5923/TR7
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