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1PMT7.0AT1G

配单专家企业名单
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  • 操作
  • 1PMT7.0AT1G
    1PMT7.0AT1G

    1PMT7.0AT1G

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ONS

  • 07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1PMT7.0AT1G
    1PMT7.0AT1G

    1PMT7.0AT1G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 6000

  • ON Semiconductor

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共5条 
  • 1
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  • 功能描述
  • TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 7V 200W Powermite Unidirectional
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 极性
  • Bidirectional
  • 工作电压
  • 击穿电压
  • 58.9 V
  • 钳位电压
  • 77.4 V
  • 峰值浪涌电流
  • 38.8 A
  • 系列
  • 封装 / 箱体
  • DO-214AB
  • 最小工作温度
  • - 55 C
  • 最大工作温度
  • + 150 C
1PMT7.0AT1G 技术参数
  • 1PMT7.0AT1 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7V 电压 - 击穿(最小值):7.78V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):- 功率 - 峰值脉冲:1000W(1kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5956E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5956E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PMT5956CE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5956CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PS11 1PS16 1PS181,115 1PS181,135 1PS184,115 1PS184,135 1PS193,115 1PS193,135 1PS226,115 1PS226,135 1PS300,115 1PS301,115 1PS301/ZLX 1PS302,115 1PS59SB10,115 1PS59SB14,115 1PS59SB15,115 1PS59SB16,115
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