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1PNVS0.9CE-M6

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1PNVS0.9CE-M6 技术参数
  • 1PMT7.0AT3G 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7V 电压 - 击穿(最小值):7.78V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):- 功率 - 峰值脉冲:1000W(1kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:12,000 1PMT7.0AT1G 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7V 电压 - 击穿(最小值):7.78V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):- 功率 - 峰值脉冲:1000W(1kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT7.0AT1 功能描述:TVS DIODE 7VWM 12VC POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):7V 电压 - 击穿(最小值):7.78V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:12V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):- 功率 - 峰值脉冲:1000W(1kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:Powermite 标准包装:3,000 1PMT5956E3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:3,000 1PMT5956E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 200V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):200V 容差:±20% 功率 - 最大值:3W 阻抗(最大值)(Zzt):1200 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 152V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-55°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-216AA 供应商器件封装:DO-216AA 标准包装:12,000 1PS16 1PS181,115 1PS181,135 1PS184,115 1PS184,135 1PS193,115 1PS193,135 1PS226,115 1PS226,135 1PS300,115 1PS301,115 1PS301/ZLX 1PS302,115 1PS59SB10,115 1PS59SB14,115 1PS59SB15,115 1PS59SB16,115 1PS59SB20,115
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