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1PS193.115

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1PS193.115 技术参数
  • 1PS193,135 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:10,000 1PS193,115 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 不同?Vr,F 时的电容:1.5pF @ 0V,1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:15,000 1PS184,135 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:10,000 1PS184,115 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:12,000 1PS181,135 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):80V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):215mA(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 80V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:10,000 1PS59SB16,115 1PS59SB20,115 1PS66SB17,115 1PS66SB82,115 1PS70SB10,115 1PS70SB14,115 1PS70SB14/ZLF 1PS70SB14/ZLX 1PS70SB14F 1PS70SB15,115 1PS70SB16,115 1PS70SB20,115 1PS70SB40,115 1PS70SB44,115 1PS70SB45,115 1PS70SB46,115 1PS70SB82,115 1PS70SB84,115
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