1PS59SB20T/R

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1PS59SB20T/R 技术参数

1PS59SB20,115 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 电流 - 平均整流（Io）:500mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:550mV @ 500mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100μA @ 35V 不同?Vr，F 时的电容:90pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:3,000 1PS59SB16,115 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:3,000 1PS59SB15,115 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:3,000 1PS59SB14,115 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管配置:1 对串联二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 标准包装:3,000 1PS59SB10,115 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMT3 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:200mA（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:800mV @ 100mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:5ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 25V 不同?Vr，F 时的电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SMT3 工作温度 - 结:125°C（最大）标准包装:3,000 1PS70SB20,115 1PS70SB40,115 1PS70SB44,115 1PS70SB45,115 1PS70SB46,115 1PS70SB82,115 1PS70SB84,115 1PS70SB85,115 1PS70SB86,115 1PS74SB23,115 1PS74SB23,125 1PS74SB23,165 1PS75SB45,115 1PS75SB45,135 1PS76SB10,115 1PS76SB10,135 1PS76SB10Z 1PS76SB17,115