1SMA60T3G

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1SMA60T3G 技术参数

1SMA60CAT3G 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.1A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:110pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA60CAT3 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.1A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:110pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA6.5AT3G 功能描述:TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.22V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35.7A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:1.605nF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA6.5AT3 功能描述:TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.22V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:11.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:35.7A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:1.605nF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:5,000 1SMA6.0AT3G 功能描述:TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMA 制造商:on semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:10.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:38.8A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:汽车级不同频率时的电容:1.73nF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商器件封装:SMA 标准包装:1 1SMA8.5AT3G 1SMA9.0AT3 1SMA9.0AT3G 1SMB100AT3 1SMB100AT3G 1SMB10A TR13 1SMB10AT3 1SMB10AT3G 1SMB10CA TR13 1SMB10CAT3 1SMB10CAT3G 1SMB110AT3 1SMB110AT3G 1SMB110CA TR13 1SMB11AT3 1SMB11AT3G 1SMB11CAT3 1SMB11CAT3G