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1SR82-200

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1SR82-200 技术参数
  • 1SR159-200TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):980mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:PMDS 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1,500 1SR156-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 800mA 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):400ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:PMDS 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1SR154-600TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:PMDS 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1SR154-400TE25A 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:PMDS 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1SR154-400TE25 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商器件封装:PMDS 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 1SS06-12.0 1SS08-08.0 1SS08-15.0 1SS09-09.5 1SS09-10.4 1SS09-15.0 1SS09-16.0 1SS09-19.0 1SS09-22.5 1SS133M R0G 1SS133T-72 1SS133T-77 1SS181,LF 1SS181S,LF(D 1SS181-TP 1SS184,LF 1SS184S,LF(D 1SS184-TP
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