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2DB1188R-13-01

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2DB1188R-13-01 技术参数
  • 2DB1188R-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1188Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DB1188P-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 2DB1184Q-13 功能描述:TRANS PNP 50V 3A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 2DB1182Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 2A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:110MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 2DB1714-13 2DB-52P 2DB-52PA156 2DB-52PA156A183 2DB-52PA183 2DB52PBR 2DB52PBRP 2DB52P-F0 2DB-52PF171 2DB-52PF171F0 2DB-52PF172 2DB-52PF172F0 2DB-52PF173 2DB52P-F173-F0 2DB52PF238B 2DB52S 2DB52S-A106 2DB-52SA156
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