2N1356

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2N1356
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
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2N1356 技术参数

2N1310 功能描述:TRANS NPN 90V 0.2A TO5 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:有效标准包装:250 2N1131B 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N1131A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 150mA，10V 频率 - 跃迁:90MHz 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N1131 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N1016D 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N1613A 2N1613L 2N1700 2N1701 2N1702 2N1711 2N1711S 2N1717 2N1717S 2N1792 2N1793 2N1794 2N1795 2N1796 2N1797 2N1798 2N1799 2N1800