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深圳市佳斯泰科技有限公司
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2N3514 技术参数

2N3507U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3507L 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3507AU4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/349 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 250mA，2.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:U4 标准包装:1 2N3507AL 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3507 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3636 2N3636L 2N3636UB 2N3637 2N3637L 2N3637UB 2N3663 2N3700 2N3700UB 2N3701 2N3702 2N3702_D26Z 2N3702_D27Z 2N3702_D75Z 2N3703 2N3704 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z