2N3684/W

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2N3684/W 技术参数

2N3663 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:2.1GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6.5dB @ 60MHz 增益:1.5dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3637UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3637L 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AA，TO-5-3 金属罐供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3637 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N3636UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:175V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:3-SMD 标准包装:1 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715 2N3716 2N3724 2N3724L 2N3724UB 2N3725 2N3725L 2N3725UB 2N3726 2N3727 2N3735