2N4091(A)

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2N4091(A) 技术参数

2N4091 功能描述:JFET N-Channel 40V 30mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/431 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:30mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:30 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4058 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 500μA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N4037 功能描述:TRANS PNP 40V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N4036 W/GOLD 功能描述:TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:500 2N4036 功能描述:TRANS PNP 65V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:650mV @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N4118A-2 2N4118A-E3 2N4119A 2N4119A-2 2N4119A-E3 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA