2N41103

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2N41103 技术参数

2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4093 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/431 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:80 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4092UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4092 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/431 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4091UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU