2N4116

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N4116A
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3555
PHILIPS
SOP28
201320+
-
原装正品，现货库存。400-800-03...

2N4116
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
2520
GSI
原厂标准封装
n/a
-
原装现货特价，停产偏冷优势供应！数量需确...

2N4116
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-59 - Bulk
制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
NPN TRANSISTOR TO-59_ISO LAW - Bulk
制造商
GSI Technology
功能描述

2N4116 技术参数

2N4093UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4093 功能描述:JFET N-Channel 40V 8mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/431 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:8mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:80 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4092UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4092 功能描述:JFET N-Channel 40V 15mA @ 20V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用， MIL-PRF-19500/431 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:40V 漏源极电压（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:15mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:16pF @ 20V 电阻 - RDS（开）:50 欧姆功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4091UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N4123 2N4123BU 2N4123RLRM 2N4123TA 2N4123TAR 2N4123TF 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU