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2N4122

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • MOTOROLA

  • CAN

  • 14+

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  • 全新原装,进口现货,准时交货,量大优惠

  • 2N4122
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    2N4122

  • 标准国际(香港)有限公司
    标准国际(香港)有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:0755-886074588325800283206150

    地址:新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 96

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  • 2N4122
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

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  • 一级代理,原装正品现货!

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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106
2N4122 技术参数
  • 2N4119A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4119A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4119A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):200μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):2V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4118A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):80μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4118A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):80μA @ 10V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3pF @ 10V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z 2N4126BU 2N4126TA 2N4126TAR
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