2N4633

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2N4633 技术参数

2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/317 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:- 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AB，TO-46-3 金属罐供应商器件封装:TO-46（TO-206AB）标准包装:1 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 频率 - 跃迁:500MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 100mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:250 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 3mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:30nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:5mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐供应商器件封装:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02