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2N4857JANTXV

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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全称
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • N-Channel JFETs
2N4857JANTXV 技术参数
  • 2N4857JAN02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:军用, MIL-PRF-19500/385 包装:散装 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):40V 漏源极电压(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):6V @ 500pA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):18pF @ 10V 电阻 - RDS(开):40 欧姆 功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:1 2N4856UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N4856JTXV02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:生命周期结束 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:1 2N4856JTXL02 功能描述:MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):- 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:- 标准包装:40 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02 2N4860JTX02 2N4860JTXL02 2N4860JTXV02 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02 2N4861JTXL02
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