2N519O

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2N519O 技术参数

2N5195G 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5195 SL H 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:新产品标准包装:50 2N5195 功能描述:TRANS PNP 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.2V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 2N5194G 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5194 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:1,000 2N5210TAR 2N5210TF 2N5210TFR 2N5224 2N5226 2N5232A 2N5237 2N5238 2N5238S 2N5240 2N5241 2N5245 2N5245_J35Z 2N5245_L99Z 2N5246 2N5246_D74Z 2N5246_J35Z 2N5247