2N5770-ND75Z

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2N5770-ND75Z 技术参数

2N5770_D75Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5770_D74Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5770_D27Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5770_D26Z 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:15dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5770 功能描述:TRANS RF NPN 15V 50MA TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:900MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 8mA，1V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N5782 2N5783 2N5784 2N5785 2N5786 2N5793 2N5794 2N5794U 2N5795 2N5796 2N5796U 2N5822 2N5830 2N5830_D26Z 2N5838 2N5839 2N5840 2N5868