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2N5837

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 5V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-46
2N5837 技术参数
  • 2N5830_D26Z 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5830 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5822 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):750mA 电压 - 集射极击穿(最大值):70V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.2V @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 2mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,000 2N5796U 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5796 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5876 2N5877 2N5878 2N5879 2N5880 2N5881 2N5882 2N5883 2N5883G 2N5884 2N5884G 2N5885 2N5885G 2N5886 2N5886G 2N5912 2N5950 2N5950_J18Z
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