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2N5911-2

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  • 2N5911-2
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    2N5911-2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • SILICONIX

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  • 制造商
  • Vishay Angstrohm
  • 功能描述
  • Trans JFET N-CH 7-Pin TO-78 T/R
2N5911-2 技术参数
  • 2N5886G 功能描述:TRANS NPN 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5886 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5885G 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5884G 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5952_D75Z 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G 2N6027RLRA 2N6027RLRAG
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