2N5920

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2N5920 技术参数

2N5912 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-78-6 金属罐供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N5886G 功能描述:TRANS NPN 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5886 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5885G 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:25A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 6.25A，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G 2N6027RLRA 2N6027RLRAG 2N6028