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2N5945

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 制造商
  • ASI
  • 制造商全称
  • ASI
  • 功能描述
  • NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
2N5945 技术参数
  • 2N5912 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 标准包装:1 2N5886G 功能描述:TRANS NPN 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5886 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N5885G 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):25A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 电流 - 集电极截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-204AA,TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G 2N6027RLRA 2N6027RLRAG 2N6028
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