2N6068BG.

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2N6068BG. 技术参数

2N6059 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6058 功能描述:PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N6055 功能描述:TRANS NPN 60V 8A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 4A，3V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N6052G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:100 2N6052 功能描述:TRANS PNP 100V 12A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 120mA，12A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:750 @ 6A，3V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:4MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-3 标准包装:20 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G 2N6111 2N6111G 2N6123 2N6191 2N6192 2N6193 2N6193U3 2N6212 2N6213