2N6396-BD

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2N6396-BD 技术参数

2N6395G 功能描述:THYRISTOR SCR 12A 100V TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:100V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:- 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:50mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 2N6394TG 功能描述:THYRISTOR SCR 12A 50V TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效电压 - 断态:50V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:- 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:50mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6394G 功能描述:THYRISTOR SCR 12A 50V TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:50V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:- 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:50mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 2N6394 功能描述:THYRISTOR SCR 12A 50V TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 断态:50V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:- 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:50mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:500 2N6388G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:3V @ 100mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 5A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6403G 2N6403TG 2N6404G 2N6405G 2N6426 2N6426_D26Z 2N6426_D74Z 2N6426G 2N6426RLRA 2N6426RLRAG 2N6427 2N6427_D26Z 2N6427_D27Z 2N6427_D75Z 2N6427G 2N6427RLRA 2N6427RLRAG 2N6428