2N7053全国供应商 2N7053资料|PDF Datasheet|价格【Fairchild 飞兆半导体】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N7053T
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD598JR
AD598SD/883B
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

2N7053_D74Z
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
FAIRCHILD
标准封装
13+
-
全新原装100%正品保证质量

2N7053T
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
16320
ON
TO92
22+
-
全新原装现货热卖

2N7053
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
FAIRCHILD/仙童
TO-126
22+
-
十年配单，只做原装

2N7053
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
FSC
08+
-
假一罚十，百分百原装正品，质量保障

2N7053T
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
NSC
94
-
假一罚十，百分百原装正品

2N7053
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
14690
FSC
TO-92L
01+
-
全新原装现货

2N7053
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
7500
FAIRCHILD
TO-226
13+
-
全新原装，现货，价优！

2N7053T
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

2N7053
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
36200
原厂原装
18+
-
原装现货，优势供应

2N7053T
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
2438
NS/国半
TO92
04+
-
真芯合作锐意进取

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1

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功能描述
达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极—基极电压 VCBO
最大直流电集电极电流
0.5 A
最大集电极截止电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-18
封装
Reel

2N7053 技术参数

2N7052_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7052 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7051_D10Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7051 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:200nA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 1A，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7008-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:230mA（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N7225U 2N7227 2N7227U 2N7228 2N7228U 2N7236 2N7236U 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB