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2N7224JANTXV

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • - Bulk
  • 制造商
  • Harris Corporation
  • 功能描述
2N7224JANTXV 技术参数
  • 2N7224 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 21A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-254-3,TO-254AA(直引线) 供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N720A 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18(TO-206AA) 标准包装:1 2N708 功能描述:TRANS NPN 15V TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):25μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N706A 2N706 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E
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