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2N7224U

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

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  • Microsemi Corporation

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  • 2N7224U
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  • 深圳廊盛科技有限公司
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    联系人：李小姐

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人：吴

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 2N7224U - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V SMD1
2N7224U 技术参数
  • 2N7224 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:125nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-254-3，TO-254AA（直引线） 供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N720A 功能描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO-18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:5V @ 15mA，150mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标准包装:1 2N708 功能描述:TRANS NPN 15V TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:25μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标准包装:2,000 2N706A 2N706 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E
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