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2N7236

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

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    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:何芝

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 深圳市铭昌源科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

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  • 2N7236 高频器件
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  • 深圳庞田科技有限公司
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    联系人:吴小姐

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    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET P-CH 18A 3PIN TO-254 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 100V TO-254AA
2N7236 技术参数
  • 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):415 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7228 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):415 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-254-3,TO-254AA(直引线) 供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7227U 功能描述:MOSFET N-CH 400V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):315 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7227 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):400V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):315 毫欧 @ 9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-254-3,TO-254AA(直引线) 供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7225U 功能描述:MOSFET N-CH 200V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 17A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N915 2N918 2N918UB 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9
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