2N8050-D

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2N8050-D 技术参数

2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Tc）（155°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:105 毫欧 @ 15A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-257-3 供应商器件封装:TO-257 标准包装:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc）（158°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 8A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 7A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-257-3 供应商器件封装:TO-257 标准包装:10 2N7636-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 4A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管，常闭 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）（165°C）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:415 毫欧 @ 4A 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:324pF @ 35V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 225°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES