2SA17670QACT

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2SA17670QACT 技术参数

2SA17670QA 功能描述:TRANS PNP 300V 0.07A TO-92 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2SA1761,T6F(M 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA1761,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA1761,F(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SA1759T100P 功能描述:TRANS PNP 400V 0.1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SA1774T1 2SA1774T1G 2SA1774TLQ 2SA1774TLR 2SA1774TLS 2SA1776TV2P 2SA1776TV2Q 2SA1778-3-TB-E 2SA1790GCL 2SA1790JCL 2SA1791GRL 2SA1791JRL 2SA1797T100P 2SA1797T100Q 2SA1806GRL 2SA1806JRL 2SA1807TLP 2SA1812T100Q