2SA1774(XHZ)

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2SA1774(XHZ) 技术参数

2SA1770T-AN 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1770S-AN 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:径向 - 3 引线供应商器件封装:3-NMP 标准包装:1 2SA1768T-AN 功能描述:TRANS PNP 160V 0.7A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 25mA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1768S-AN 功能描述:TRANS PNP 160V 700UA NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:700μA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 25mA，250mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA17670QA 功能描述:TRANS PNP 300V 0.07A TO-92 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:70mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，10V 功率 - 最大值:750mW 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2SA1774TLS 2SA1776TV2P 2SA1776TV2Q 2SA1778-3-TB-E 2SA1790GCL 2SA1790JCL 2SA1791GRL 2SA1791JRL 2SA1797T100P 2SA1797T100Q 2SA1806GRL 2SA1806JRL 2SA1807TLP 2SA1812T100Q 2SA1815-4-TB-E 2SA1827S-AY 2SA1832-GR,LF 2SA1832-Y,LF