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2SA1834F5R

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2SA1834F5R 技术参数

2SA1832-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SA1832-GR,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SA1827S-AY 功能描述:TRANS PNP 100V 4A FLP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片供应商器件封装:FLP 标准包装:1,000 2SA1815-4-TB-E 功能描述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:750MHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:25dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SA1812T100Q 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SA1837,NSEIKIF(J 2SA1837,S1CSF(J 2SA1837,TOA1F(J 2SA1837,WNLF(J 2SA1837,YHF(J 2SA1837,YHF(M 2SA1859 2SA1859A 2SA1860 2SA1862TLP 2SA1869-Y(JKT,Q,M) 2SA1869-Y(Q,M) 2SA1869-Y,MTSAQ(J 2SA1869-Y,Q(J 2SA1873-GR(TE85L,F 2SA1873-GRTE85L 2SA1873-Y(TE85L,F) 2SA1887(F)