2SA1869O

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2SA1869O 技术参数

2SA1862TLP 功能描述:TRANS PNP 400V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 100mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:18MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SA1860 功能描述:TRANS PNP 150V 14A TO-3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5A，4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:30 2SA1859A 功能描述:TRANS PNP 180V 2A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 70mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 700mA，10V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SA1859 功能描述:TRANS PNP 150V 2A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 70mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 700mA，10V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SA1837,YHF(M 功能描述:TRANS PNP 1A 230V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:70MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SA1890GRL 2SA1900T100Q 2SA1907 2SA1908 2SA1909 2SA1930(LBS2MATQ,M 2SA1930(ONK,Q,M) 2SA1930(Q,M) 2SA1930,CKQ(J 2SA1930,LBS2DIAQ(J 2SA1930,ONKQ(J 2SA1930,Q(J 2SA1931(NOMARK,A,Q 2SA1931,BOSCHQ(J 2SA1931,KEHINQ(M 2SA1931,NETQ(J 2SA1931,NETQ(M 2SA1931,NIKKIQ(J