2SB1308T101R

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2SB1308T101R 技术参数

2SB1308T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1308T100Q 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SB1308T100P 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:450mV @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SB1302T-TD-E 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SB1302S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 60mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A