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2SB1378STA

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2SB1378STA 技术参数
  • 2SB1375,CLARIONF(M 功能描述:TRANS PNP 3A 60V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:9MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SB1351 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 20mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 10A,4V 功率 - 最大值:30W 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SB1326TV2R 功能描述:TRANS PNP 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SB1326TV2Q 功能描述:TRANS PNP 20V 5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SB1322A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL 2SB1443TV2Q 2SB14460RA 2SB14460SA 2SB1457(T6CANO,F,M
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