2SB1572-X

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2SB1572-X 技术参数

2SB1570 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 12A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:150W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SB1565FU6E 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO220FN 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:15MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FN 标准包装:500 2SB1561T100Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1560 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 7mA，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 7A，4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SB1559 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 8A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 6mA，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 6A，4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:65MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L 2SB1679G0L 2SB1689T106 2SB1690KT146 2SB1690TL 2SB169300L 2SB1694T106 2SB1695KT146 2SB1695TL 2SB1697T100 2SB1698T100 2SB169900L 2SB1705TL 2SB1706TL