2SB1667(SM)

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2SB1667(SM) 技术参数

2SB1649 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 15A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:85W 频率 - 跃迁:45MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SB1648 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 17A MT200 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:17A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 1.2A，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:200W 频率 - 跃迁:45MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-ESIP 供应商器件封装:MT-200 标准包装:250 2SB1647 功能描述:TRANS PNP DARL 150V 15A TO-3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2.5V @ 10mA，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10A，4V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:45MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SB1623AP 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 20mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:4000 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:50 2SB15990RL 功能描述:TRANS PNP 40V 1.5A MINI PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 150mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SB1697T100 2SB1698T100 2SB169900L 2SB1705TL 2SB1706TL 2SB1707TL 2SB1708TL 2SB1709TL 2SB1710TL 2SB1722J0L 2SB1730TL 2SB1731TL 2SB1732TL 2SB1733TL 2SB315A-2MBI1200U4G-170 2SB315A-2MBI800U4G-120 2SB315A-2MBI800U4G-170 2SB315A-2MBI800VT-170E